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VP2110ND Datasheet

  • VP2110ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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VP2106/VP2110
Typical Performance Curves
Output Characteristics
-2.0
-1.0
Saturation Characteristics
VGS = -10V
-1.6
-0.8
-9V
I
D
(amperes)
-1.2
I
D
(amperes)
-8V
VGS = -10V
-9V
-8V
-7V
-0.6
-7V
-0.8
-0.4
-6V
-5V
-4V
-0.4
-6V
-5V
-0.2
0
0
-10
-20
-30
-4V
-0
-50
0
-2
-4
-6
-3V
-40
-8
-10
V
DS
(volts)
Transconductance vs. Drain Current
250
VDS = 25V
200
1.0
V
DS
(volts)
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
T
A
= -55擄C
TO-92
G
FS
(millisiemens)
T
A
= 25擄C
P
D
(watts)
150
0.5
TO-236AB
100
T
A
= 125擄C
50
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
(amperes)
Maximum Rated Safe Operating Area
-1.0
TO-92 (pulsed)
1.0
T
A
(擄C)
Thermal Response Characteristics
Thermal Resistance (normalized)
TO-236AB (pulsed)
TO-92 (DC)
0.8
TO-236AB
P
D
= 0.36W
T
A
= 25擄C
I
D
(amperes)
-0.1
TO-236AB (DC)
0.6
0.4
-0.01
0.2
TO-92
P
D
= 1.0W
T
A
= 25擄C
-0.001
-0.1
T
A
= 25擄C
-1.0
-10
-100
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
V
DS
(volts)
t
p
(seconds)
3

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