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VP3203ND Datasheet

  • VP3203ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁(yè)

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VP3203
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
2.0
1.1
1.6
On-Resistance vs. Drain Current
BV
DSS
(normalized)
V
GS
= -5V
R
DS(ON)
(ohms)
1.2
V
GS
= -10V
0.8
1.0
0.4
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-4
-8
-12
-16
-20
T
j
(擄C)
Transfer Characteristics
-10
1.4
I
D
(amperes)
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
1.4
T
A
= -55
擄C
-8
R
DS(ON)
@ -10V, -3A
25擄C
1.2
1.2
-6
V
DS
= -25V
125擄C
1.0
1.0
-4
0.8
0.8
-2
0.6
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
V
(th)
@ -10mA
0.6
100
150
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
300
-10
T
j
(擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
-8
225
C (picofarads)
C
ISS
V
DS
= -10V
V
GS
(volts)
-6
150
V
DS
=
-20V
-4
335pF
C
OSS
75
-2
C
RSS
0
-0
-10
-20
-30
0
0
200 pF
1
2
3
4
5
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)
11/12/01
V
GS(th)
(normalized)
I
D
(amperes)

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