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VP3203ND Datasheet

  • VP3203ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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VP3203
Typical Performance Curves
Output Characteristics
-20
-20
Saturation Characteristics
-16
V
GS = -10V
-16
V
GS = -10V
I
D
(amperes)
-12
I
D
(amperes)
-8V
-12
-8V
-8
-8
-6V
-4
-4
-6V
0
0
-5
-10
-15
-20
-4V
-3V
-25
-30
-4V
0
0
-2
-4
-6
-3V
-8
-10
V
DS
(volts)
Transconductance vs. Drain Current
5
2.0
V
DS
(volts)
Power Dissipation vs. Temperature
V
DS
= -25V
4
1.6
TO-243AA
G
FS
(siemens)
T
A
= 125擄C
T
A
= 25擄C
P
D
(watts)
3
1.2
2
0.8
TO-92
T
A
= -55擄C
1
0.4
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
(amperes)
Maximum Rated Safe Operating Area
-10
1.0
T
A
(擄C)
Thermal Response Characteristics
Thermal Resistance (normalized)
TO-243AA (pulsed)
TO-92 (pulsed)
TO-243AA(DC)
0.8
I
D
(amperes)
-1.0
0.6
TO-243AA
T
A
= 25擄C
P
D
= 1.6W
TO-92 (DC)
0.4
-0.1
T
A
= 25
擄
C
-0.01
-0.1
0.2
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25擄C
0.01
0.1
1.0
10
-1.0
-10
-100
0
0.001
V
DS
(volts)
t
p
(seconds)
3

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