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TN2106ND Datasheet

  • TN2106ND

  • N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 31.70KB

  • 4頁(yè)

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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TN2106
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
10
1.1
8
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS
= 4.5V
BV
DSS
(normalized)
R
DS(ON)
(ohms)
6
V
GS
= 10V
1.0
4
2
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Tj (擄C)
Transfer Characteristics
1.0
ID (amperes)
V
GS(th)
and R
DS(ON)
Variation with Temperature
2.0
V
DS
= 25V
0.8
1.2
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
1.6
V
GS(th)
(normalized)
1.0
1.2
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
25擄C
125擄C
0.2
V
GS(th)
@ 1mA
0.4
0.4
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
10
Tj (擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
8
75
V
DS
= 10V
C (picofarads)
V
GS
(volts)
6
50
C
ISS
25
4
V
DS
= 20V
92 pF
C
OSS
C
RSS
2
38 pF
0
0
10
20
30
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
7-74
R
DS(ON)
(normalized)
T
A
= -55擄C
ID (amperes)

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