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LP0701ND Datasheet

  • LP0701ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

  • 32.41KB

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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LP0701
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
10
1.1
8
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS
= -2V
BV
DSS
(normalized)
V
GS
= -3V
R
DS(ON)
(ohms)
6
V
GS
= -5V
1.0
4
2
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-1
-2
-3
T
j
(擄C)
Transfer Characteristics
-2
1.4
I
D
(amperes)
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
1.6
V
DS
= -15V
1.2
V
(th)
@ -1mA
1.4
T
A
= -55擄C
I
D
(amperes)
T
A
= 25擄C
-1
1.0
1.2
T
A
= 125擄C
0.8
1.0
0.6
R
DS(ON)
@ -5V, -300mA
0.8
0
0.4
0
-1
-2
-3
-4
-5
-50
0
50
100
150
0.6
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
-10
T
j
(擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
-8
V
DS
= -10V
C (picofarads)
V
GS
(volts)
C
ISS
100
-6
-20V
238pF
C
OSS
-4
C
RSS
-2
0
0
-5
-10
-15
0
0
C
ISS
= 115pF
1
2
3
4
5
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
7-26
R
DS(ON)
(normalized)
V
GS(th)
(normalized)

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