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TP2522ND Datasheet

  • TP2522ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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TP2520/TP2522
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
50
1.1
40
On-Resistance vs. Drain Current
BV
DSS
(normalized)
V
GS
= -4.5V
R
DS(ON)
(ohms)
30
1.0
20
V
GS
= -10V
10
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
T
j
(擄C)
Transfer Characteristics
-2.5
1.2
-2.0
I
D
(amperes)
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
2.5
V
DS
= -25V
V
GS(th)
(normalized)
2.0
25擄C
1.1
-1.5
1.5
1.0
125擄C
-1.0
V
(th)
@ -1mA
1.0
0.9
0.5
0.8
-0.5
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
-10
T
j
(擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
-8
150
V
DS
= -10V
C (picofarads)
V
GS
(volts)
-6
100
V
DS
= -40V
-4
C
ISS
50
200pF
-2
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
C
OSS
0
-40
0
73pF
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
11/12/01
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)
T
A
= -55擄C
I
D
(amperes)
R
DS(ON)
@ -10V, -0.2A

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