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TN2640ND Datasheet

  • TN2640ND

  • N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁(yè)

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TN2640
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
1.15
10
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS
= 5V
1.10
8
BV
DSS
(normalized)
R
DS(ON)
(ohms)
1.05
6
V
GS
= 10V
1.00
4
0.95
0.9
0.90
-50
0
50
100
150
2
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
j
(擄C)
Transfer Characteristics
3.0
1.4
I
D
(amperes)
V
TH
and R
DS
Variation with Temperature
2.2
25擄C
2.4
1.2
V
(th)
@ 2mA
1.8
I
D
(amperes)
1.8
T
A
= -55擄C
125擄C
V
GS(th)
(normalized)
1.0
1.4
1.2
0.8
1.0
V
DS
= 25V
0.6
0.6
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
0.6
0
0
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
0.2
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
400
10
T
j
(擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
8
300
653pF
C (picofarads)
V
GS
(volts)
6
200
C
ISS
V
DS
= 10V
4
V
DS
= 40V
100
2
C
OSS
253pF
0
0
10
20
30
C
RSS
40
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
12/19/01rev.1
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)

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