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TN2510ND Datasheet

  • TN2510ND

  • N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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TN2510
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
1.1
10
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS
= 5V
8
BV
DSS
(normalized)
R
DS(ON)
(ohms)
6
1.0
V
GS
= 10V
4
2
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
2
4
6
8
10
T
j
(
擄
C)
Transfer Characteristics
10
I
D
(amperes)
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
1.2
2.0
V
GS
= 25V
8
T
A
= -55擄C
R
DS(ON)
@ 5V, 0.75A
1.1
I
D
(amperes)
V
(th)
@ 1mA
1.6
6
25擄C
4
1.0
1.2
125擄C
2
0.9
0.8
0.8
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
0.4
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
10
T
j
(
擄
C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
C
ISS
8
V
DS
= 10V
75
C (picofarads)
V
GS
(volts)
6
50
V
DS
= 40V
4
190 pF
C
OSS
25
2
C
RSS
0
0
10
20
30
40
0
0
70pF
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
11/12/01
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)
V
GS(th)
(normalized)

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