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TN2510ND Datasheet

  • TN2510ND

  • N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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TN2510
Typical Performance Curves
10
8
Output Characteristics
10
8
Saturation Characteristics
I
D
(amperes)
4
2
0
8V
6V
4V
3V
0
10
20
30
V
DS
(volts)
40
50
I
D
(amperes)
6
V
GS
= 10V
6
4
2
0
V
GS
= 10V
8V
6V
4V
3V
0
2
4
6
V
DS
(volts)
8
10
2.0
1.6
Transconductance vs. Drain Current
V
DS
= 25V
T
A
= -55
擄
C
2.0
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
TO-243AA
G
FS
(siemens)
P
D
(watts)
1.2
0.8
0.4
0
T
A
= 25
擄
C
T
A
= 125
擄
C
1.0
0
1
I
D
(amperes)
2
3
4
5
0
0
25
50
75
100
T
C
(
擄
C)
125
150
10
Maximum Rated Safe Operating Area
1.0
TO-243AA (pulsed)
Thermal Response Characteristics
Thermal Resistance (normalized)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
TO-243AA
P
D
= 0.55W
T
C
= 25
擄
C
I
D
(amperes)
1.0
T
A
= 25
擄
C
0.1
TO-243AA (DC)
0.01
1
10
V
DS
(volts)
100
1000
0.01
t
p
(seconds)
0.1
1
10
3

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