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TP2640ND Datasheet

  • TP2640ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁(yè)

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TP2635/TP2640
Typical Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
30
1.1
24
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
BV
DSS
(normalized)
R
DS(ON)
(ohms)
18
1.0
12
V
GS
= -10V
6
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
T
j
(
擄
C)
Transfer Characteristics
-2.0
I
D
(amperes)
V
TH
and R
DS
Variation with Temperature
2.5
V
DS
= -25V
-1.6
1.2
V
(th)
@ -1mA
2.0
1.0
1.5
0.8
1.0
0.6
I
D
(amperes)
-1.2
T
A
= -55擄C
25擄C
-0.8
R
DS(ON)
@ -10V, -0.3A
0.5
-0.4
0.4
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
400
-10
T
j
(
擄
C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
-8
300
678pF
C (picofarads)
V
GS
(volts)
C
ISS
200
-6
V
DS
= -10V
-4
V
DS
= -40V
100
-2
C
OSS
263pF
0
0
-10
-20
-30
C
RSS
-40
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
11/12/01
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)
V
GS(th)
(normalized)
+125擄C

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