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TP2640ND Datasheet

  • TP2640ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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TP2635/TP2640
Typical Performance Curves
Output Characteristics
-2.0
-1.0
Saturation Characteristics
-8V
-8V
-6V
-6V
-0.8
V
GS
= -10V
-1.6
V
GS
= -10V
I
D
(amperes)
-4V
-0.8
I
D
(amperes)
-1.2
-0.6
-4V
-0.4
-3V
-0.2
-0.4
-3V
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
DS
(volts)
Transconductance vs. Drain Current
1.0
2.0
V
DS
(volts)
Power Dissipation vs. Temperature
0.8
1.6
G
FS
(siemens)
V
DS
= -25V
SO-8
P
D
(watts)
0.6
1.2
TO-92
0.4
T
A
= -55擄C
0.8
0.2
0.4
25擄C
125擄C
0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
(amperes)
Maximum Rated Safe Operating Area
-10
SO-8 (pulsed)
1.0
T
C
(
擄
C)
Thermal Response Characteristics
Thermal Resistance (normalized)
-1.0
0.8
TO-92 (pulsed)
SO-8
(DC)
I
D
(amperes)
0.6
-0.1
TO-92 (DC)
0.4
-0.01
T
C
= 25擄C
0.2
TO-92
TC = 25擄C
PD = 1.0W
-0.001
-1
-10
-100
-1000
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
V
DS
(volts)
t
p
(seconds)
3

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