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TP2510ND Datasheet

  • TP2510ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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TP2510
Typical Performance Curves
BV
DSS
Variation with Temperature
10
1.1
8
On-Resistance vs. Drain Current
V
GS
= -5V
V
GS
= -10V
BV
DSS
(normalized)
R
DS(ON)
(ohms)
-50
0
50
100
150
6
1.0
4
2
0.9
0
0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4.0
T
j
(擄C)
Transfer Characteristics
-5
1.4
I
D
(amperes)
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
2.0
V
DS
= -25V
-4
1.2
R
DS (ON)
@ -10V, -0.75A
1.6
I
D
(amperes)
-3
T
A
= -55擄C
1.0
1.2
25擄C
-2
0.8
0.8
-1
150擄C
V
(th)
@
-1mA
0.6
0.4
0
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.4
-50
0
50
100
150
0
V
GS
(volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
-10
T
j
(擄C)
Gate Drive Dynamic Characteristics
f = 1MHz
-8
150
142 pF
V
DS
= -10V
C (picofarads)
V
GS
(volts)
-6
100
V
DS
= -40V
-4
C
ISS
50
C
OSS
71 pF
-2
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
0
0
1.0
2.0
V
DS
(volts)
Q
G
(nanocoulombs)
11/12/01
漏2001 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 鈥?FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
R
DS(ON)
(normalized)
V
GS(th)
(normalized)

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