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TP2510ND Datasheet

  • TP2510ND

  • P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

  • 4頁

  • SUPERTEX   SUPERTEX

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TP2510
Typical Performance Curves
Output Characteristics
-5
-5
Saturation Characteristics
-4
-4
I
D
(amperes)
-3
I
D
(amperes)
-3
V
GS
= -10V
-2
-8V
-1
-6V
-4V
-3V
0
V
GS
= -10V
-2
-8V
-1
-6V
-4V
-3V
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
DS
(volts)
Transconductance vs. Drain Current
0.5
2.0
V
DS
(volts)
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
V
DS
= -25V
0.4
T
A
= -55擄C
TO-243AA
G
FS
(siemens)
P
D
(watts)
0.3
T
A
= 25擄C
1.0
T
A
= 125擄C
0.2
0.1
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
(amperes)
Maximum Rated Safe Operating Area
-10
1.0
T
A
(擄C)
Thermal Response Characteristics
TO-243AA(pulsed)
Thermal Resistance (normalized)
0.8
I
D
(amperes)
-1.0
TO-243AA (DC)
0.6
0.4
-0.1
T
A
= 25擄C
0.2
TO-243AA
T
A
= 25擄C
P
D
= 1.6W
-0.01
-0.1
0
-1.0
-10
-100
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
(volts)
t
p
(seconds)
3

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