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PMEM4010ND Datasheet

  • PMEM4010ND

  • NPN transistor/Schottky diode module

  • 10頁

  • ETC

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Philips Semiconductors
Product speci鏗乧ation
NPN transistor/Schottky diode module
PMEM4010ND
handbook, halfpage
400
MHC081
handbook, halfpage
10
3
MHC311
fT
(MHz)
300
IF
(mA)
10
2
(1)
(2)
(3)
200
10
100
1
0
0
200
400
600
800
1000
IC (mA)
10
鈭?
0
0.2
0.4
VF (V)
0.6
NPN transistor;
V
CE
= 10 V.
Schottky barrier diode.
(1) T
amb
= 125
擄C.
(2) T
amb
= 85
擄C.
(3) T
amb
= 25
擄C.
Fig.6
Transition frequency as a function of
collector current.
Fig.7
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
10
5
handbook, halfpage
IR
(碌A(chǔ))
(1)
MHC312
handbook, halfpage
80
MHC313
Cd
(pF)
60
10
4
10
3
(2)
40
10
2
(3)
20
10
1
0
5
10
15
20
VR (V)
25
0
0
5
10
15
VR (V)
20
Schottky barrier diode.
(1) T
amb
= 125
擄C.
(2) T
amb
= 85
擄C.
(3) T
amb
= 25
擄C.
Schottky barrier diode;
f = 1 MHz; T
amb
= 25
擄C.
Fig.8
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
Fig.9
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
2003 Jul 04
6

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