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PMEM4010ND Datasheet

  • PMEM4010ND

  • NPN transistor/Schottky diode module

  • 10頁

  • ETC

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Philips Semiconductors
Product speci鏗乧ation
NPN transistor/Schottky diode module
GRAPHICAL DATA
MHC077
PMEM4010ND
handbook, halfpage
1000
handbook, halfpage
(1)
10
MHC078
hFE
800
VBE
(V)
600
(2)
1
400
(3)
(1)
(2)
(3)
200
0
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
IC (mA)
10
鈭?
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
IC (mA)
NPN transistor;
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150
擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
=
鈭?5 擄C.
NPN transistor;
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
=
鈭?5 擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
= 150
擄C.
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
handbook, halfpage
10
3
MHC079
handbook, halfpage
10
2
MHC080
VCEsat
(mV)
RCEsat
(鈩?
10
2
(1)
10
(2)
(3)
10
1
(1)
(2)
(3)
1
1
10
10
2
10
3
IC (mA)
10
4
10
鈭?
10
鈭?
1
10
10
2
10
3
10
4
IC (mA)
NPN transistor;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
=
鈭?5 擄C.
NPN transistor;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
擄C.
(2) T
amb
= 25
擄C.
(3) T
amb
=
鈭?5 擄C.
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Fig.5
Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
2003 Jul 04
5

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