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2SA2016L-AB3-R Datasheet

  • 2SA2016L-AB3-R

  • PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

  • 111.29KB

  • 6頁

  • UTC-IC

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2SA2016
TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
PNP PLANAR TRANSISTOR
Ic-V
CE
-7
-6
Collector Current Ic -A
-90mA
-40mA
-30mA
-20mA
-10mA
Collector Current ,Ic -A
-5
-50mA
-60mA
-70mA
-80mA
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
-0.2
Ic-V
BE
V
CE
= -2V
-4 -100mA
-3
-2
-1
0
0
Ta =75鈩?/div>
Ta =25鈩?/div>
Ta =-25鈩?/div>
I
B
=0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
Collector -to-Emitter Voltage,V
CE
-V
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0 -1.2
Base-to-Emitter Voltage,V
BE
-V
-1.4
h
FE
-Ic
1000
7
5
DC Current Gain, h
FE
V
CE
= -2V
Ta =75鈩?/div>
3
2
100
7
5
3
2
Ta =25鈩?/div>
Collector-to-Emitter Saturation
Voltage, V
CE(SAT)
-mV
-1000
7 I
C
/I
B
=20
5
3
2
-100
7
5
3
2
V
CE(SAT)
-Ic
Ta =-25鈩?/div>
Ta =75鈩?/div>
Ta =25鈩?/div>
10
-0.01 2 3 5 7-0.1 2 3 5 7 -1.0
Collector Current,Ic -A
2 3 5 7 -10
Ta =-25鈩?/div>
-10
7
5
3
2
-1.0
-0.01 2 3 5 7 -0.1 2 3 5 7 -1.0
Collector Current,Ic -A
2 3 5 7 -10
4.0
3.5
Collector Dissipation,Pc -W
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
Pc -Tc
60
80 100 120
Case Temperature, Tc-鈩?/div>
140
160
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
5 of 6
QW-R208-018.B

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