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2SA2016L-AB3-R Datasheet

  • 2SA2016L-AB3-R

  • PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

  • 6頁

  • UTC-IC

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2SA2016
TYPICAL CHARACTERISTICS
PNP PLANAR TRANSISTOR
V
CE(SAT )
-Ic
-10000
7 I
C
/I
B
=50
5
3
2
-1000
7
5
3
2
-100
7
5
3
2
-10
-0.01
-10000
7
5
V
BE(SAT)
-Ic
I
C
/I
B
=50
Base-to-Emitter Saturation
Voltage,V
BE(SAT)
-V
Collector-to-Emitter Saturation
Voltage,V
CE (SAT)
-mV
Ta =75鈩?/div>
Ta =25鈩?/div>
3
2
Ta =-25鈩?/div>
-1000
7
5
3
2
-100
-0.01
Ta =25鈩?/div>
Ta =-25鈩?/div>
Ta =75鈩?/div>
2
3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5 7 -10
2
3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5 7 -10
Collector Current,Ic -A
Cob-V
CB
5
3
2
1000
f=1MHz
7
5
Collector Current,Ic -A
fT -Ic
V
CE
= -10V
Gain-Bandwidth Product,fT-MHz
Output Capacitance,Cob-pF
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
5 7-0.01
2 3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5
3
2
100
7
5
3
2
10
5 7-0.01 2 3 5 7 -0.1
2 3 5 7 -1.0
2 3 5 7 -10
Collector-to-Base Voltage,V
CB
-V
2
-10
7
5
3
2
-1.0
7
5
3
2
-0.1
7
5
ASO
2.0
Icp = -10A
Collector Current,Ic -A
Pc -Ta
0
渭
10
s
1m
I
C
= -7A
DC
Op
er
at
io
s
Collector Dissipation,Pc -W
s
渭
50
1.5
1.3
1.0
Collector Current,Ic -A
Mo
un
ted
n
on
a
100ms
10ms
0.5
3
2 Tc = 25鈩?/div>
-0.01
2 3 5 7 -10 2 3 5 7 -100
-0.1 2 3 5 7 -1.0
Collector-to-Emitter Voltage,V
CE
-V
ce
ram
ic
bo
ard
(2
50
mm
2
* 0.
8m
m)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -鈩?/div>
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
4 of 6
QW-R208-018.B

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