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STP21NM60ND Datasheet

  • STP21NM60ND

  • N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PA...

  • 18頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STP/F21NM60ND - STB21NM60ND - STI21NM60ND - STW21NM60ND
Electrical characteristics
Table 7.
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
Source drain diode
Parameter
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
Forward on voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 17 A, V
GS
= 0
I
SD
= 17 A, V
DD
= 60 V
di/dt=100 A/碌s
(see Figure 20)
I
SD
= 17 A,V
DD
= 60 V
di/dt=100 A/碌s,
T
J
= 150 擄C
(see Figure 20)
150
0.90
13
210
1.6
15
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
17
68
1.6
Unit
A
A
V
ns
碌C
A
ns
碌C
A
V
SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1. Pulse width limited by safe operating area
2. Pulsed: Pulse duration = 300 碌s, duty cycle 1.5%.
5/18

STP21NM60ND 產(chǎn)品屬性

  • STP21NM60ND View All Specifications

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • FDmesh™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 600V

  • 17A

  • 220 毫歐 @ 8.5A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 60nC @ 10V

  • 1800pF @ 50V

  • 140W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-8444-5

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