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STP21NM60ND Datasheet

  • STP21NM60ND

  • N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Power MOSFET D2PA...

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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Electrical characteristics
STP/F21NM60ND - STB21NM60ND - STI21NM60ND - STW21NM60ND
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25擄C unless otherwise specified)
Table 5.
Symbol
On/off states
Value
Parameter
Drain-source
breakdown voltage
Drain source voltage slope
Zero gate voltage
drain current (V
GS
= 0)
Gate-body leakage
current (V
DS
= 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
V
48
1
100
100
3
4
0.170
5
0.220
V/ns
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
nA
V
鈩?/div>
Unit
V
(BR)DSS
dv/dt
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
V
DD
= 480 V, I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
= Max rating
V
DS
= Max rating @125 擄C
V
GS
= 鹵 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 碌A(chǔ)
V
GS
= 10 V, I
D
= 8.5 A
600
1. Characteristic value at turn off on inductive load
Table 6.
Symbol
g
fs (1)
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss eq.(2)
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
Dynamic
Parameter
Forward transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Equivalent output
capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Gate input resistance
Test conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 8 A
V
DS
= 50 V, f = 1 MHz,
V
GS
= 0
Min.
Typ.
12
1800
90
8
300
18
16
70
48
60
10
30
3
Max.
Unit
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
鈩?/div>
V
GS
= 0, V
DS
= 0 to 480 V
V
DD
=300 V, I
D
= 8.5 A
R
G
= 4.7
鈩?
V
GS
= 10 V
(see Figure 23),
(see Figure 18)
V
DD
= 480 V, I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V,
(see Figure 19)
f=1 MHz Gate DC Bias=0
Test signal level=20 mV
Open drain
1. Pulsed: pulse duration=300碌s, duty cycle 1.5%
2. C
oss eq
. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80% V
DSS
4/18

STP21NM60ND 產(chǎn)品屬性

  • STP21NM60ND View All Specifications

  • 50

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • FDmesh™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 600V

  • 17A

  • 220 毫歐 @ 8.5A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 60nC @ 10V

  • 1800pF @ 50V

  • 140W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-8444-5

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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GAT...
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    N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GAT...
    STMICROELECTRON...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...
    ETC
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSIS...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSIS...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET PO...
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