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MMBT200 Datasheet

  • MMBT200

  • 877.73KB

  • Fairchild

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
(continued)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
BEON
- BASE EMITTER ON VOLTAGE (V)
V
BESAT
- BASE EMITTER VOLTAGE (V)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
尾
= 10
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
CE
= 5V
- 40 潞C
25 擄C
125 潞C
- 40 潞C
25 擄C
125 潞C
1
10
100
I
C
- COLLECTOR CURRENT (mA)
300
1
10
I
C
- COLLECTOR CURRENT (mA)
100 200
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
I
CBO
- COLLECTOR CURRENT (nA)
V
CB
= 50V
10
BV
CER
- BREAKDOWN VOLTAGE (V)
100
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
95
90
1
85
80
0.1
75
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIENT TEMPERATURE ( 潞 C)
125
70
0.1
1
10
100
1000
RESISTANCE (k
鈩?/div>
)
V
CE
- COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
Collector Saturation Region
4
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
100
Ta = 25擄C
3
f = 1.0 MHz
2
Ic =
100 uA
CAPACITANCE (pF)
50 mA
300 mA
10
Cib
Cob
1
0
100
300
700
2000 4000
0.1
1
10
100
I
B
- BASE CURRENT (uA)
V
ce
- COLLECTOR VOLTAGE(V)

MMBT200 PDF文件相關(guān)型號

MMBT200A

MMBT200 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 500mA

  • 45V

  • 400mV @ 20mA，200mA

  • 50nA

  • 100 @ 150mA，5V

  • 350mW

  • 250MHz

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • SOT-23-3

  • 帶卷 (TR)

  • MMBT200-NDMMBT200TR

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