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DS1315 Datasheet

  • DS1315

  • Phantom Time Chip

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DS1315
AC ELECTRICAL OPERATING CHARACTERISTICS
ROM/
RAM
= V
CCO
(0擄C to 70擄C; V
CC
= 5.0 鹵 10%)
PARAMETER
Read Cycle Time
CEI
Access Time
OE
Access Time
CEI
to Output Low Z
OE
to Output Low Z
CEI
to Output High Z
OE
to Output High Z
Address Setup Time
Address Hold Time
Read Recovery
Write Cycle
CEI
Pulse Width
OE
Pulse Width
Write Recovery
Data Setup
Data Hold Time
RST
Pulse Width
SYMBOL
t
RC
t
CO
t
OE
t
COE
t
OEE
t
OD
t
ODO
t
AS
t
AH
t
RR
t
WC
t
CW
t
OW
t
WR
t
DS
t
DH
t
RST
MIN
65
TYP
MAX
55
55
5
5
25
25
5
5
10
65
55
55
10
30
0
65
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
4
5
5
DC OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(0擄C to 70擄C; V
CC
= 3.3 鹵 10%)
PARAMETER
Average V
CC
Power
Supply Current
Average V
CC
Power
Supply Current,
(V
CCO
= V
CCI
-0.3)
TTL Standby Current
(
CEI
= V
IH
)
CMOS Standby Current
(
CEI
= V
CCI
-0.2)
Input Leakage Current
(any input)
Output Leakage Current
(any input)
Output Logic 1 Voltage
(I
OUT
= 0.4 mA)
Output Logic 0 Voltage
(I
OUT
= 1.6 mA)
Power-Fail Trip Point
Battery Switch Voltage
SYMBOL
I
CC1
I
CC01
MIN
TYP
MAX
3
100
UNITS
mA
mA
NOTES
6
7
I
CC2
I
CC3
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
V
PF
V
SW
2.8
V
BAT1
,
V
BAT2
,
or V
PF
10 of 21
-1
-1
2.4
2
1
+1
+1
mA
mA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
V
6
6
2
2
0.4
2.97
V
V
14

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