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ZVP2120A Datasheet

  • ZVP2120A

  • P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

  • 87.47KB

  • 3頁(yè)

  • ZETEX

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P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 聳 MARCH 94
FEATURES
* 200 Volt V
DS
* R
DS(on)
=25鈩?/div>
ZVP2120A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25擄C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
-200
-120
-1.2
鹵
20
UNIT
V
mA
A
V
mW
擄C
700
-55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C unless otherwise stated).
PARAMETER
Drain-Source Breakdown
Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance (1)
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
SYMBOL MIN.
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(on)
R
DS(on)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
50
100
25
7
7
15
12
15
-300
25
-200
-1.5
-3.5
20
-10
-100
MAX. UNIT CONDITIONS.
V
V
nA
碌
A
碌
A
I
D
=-1mA, V
GS
=0V
ID=-1mA, V
DS
= V
GS
V
GS
=
鹵
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-200 V, V
GS
=0
V
DS
=-160 V, V
GS
=0V,
T=125擄C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-150mA
V
DS
=-25V,I
D
=-150mA
mA
鈩?/div>
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
=0V, f=1MHz
V
DD
鈮?/div>
-25V, I
D
=-150mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300
碌
s. Duty cycle
鈮?/div>
2%
(2) Sample test.
3-425
(
3

ZVP2120A 產(chǎn)品屬性

  • 4,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門(mén)

  • 200V

  • 120mA

  • 25 歐姆 @ 150mA，10V

  • 3.5V @ 1mA

  • -

  • 100pF @ 25V

  • 700mW

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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    Power Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 100V, 8ohm, 1-Ele...
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