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ZVN3310A Datasheet

  • ZVN3310A

  • N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

  • 3頁

  • ZETEX

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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 鈥?MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt V
DS
* R
DS(on)
= 10鈩?/div>
ZVN3310A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25擄C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
100
200
2
鹵
20
625
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C unless otherwise stated).
PARAMETER
Drain-Source Breakdown
Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
SYMBOL MIN.
BV
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(on)
R
DS(on)
100
40
15
5
5
7
6
7
500
10
100
0.8
2.4
20
1
50
MAX. UNIT CONDITIONS.
V
V
nA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
mA
鈩?/div>
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
鈮?5V,
I
D
=500mA
V
DS
=25V, V
GS
=0V, f=1MHz
I
D
=1mA, V
GS
=0V
ID=1mA, V
DS
= V
GS
V
GS
=鹵 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
=0V, T=125擄C
(2)
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=500mA
V
DS
=25V,I
D
=500mA
Forward Transconductance(1)(2 g
fs
)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
(2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
3-378

ZVN3310A 產(chǎn)品屬性

  • 4,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 100V

  • 200mA

  • 10 歐姆 @ 500mA，10V

  • 2.4V @ 1mA

  • -

  • 40pF @ 25V

  • 625mW

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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    MOSFET, N SOT-23 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor...
    Diodes Inc.
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    Small Signal Field-Effect Transistor, 0.06A I(D), 200V, 1-El...
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    Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 200V, 1-Ele...
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