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UT62L6416(E) Datasheet

  • UT62L6416(E)

  • ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

  • 13頁(yè)

  • ETC

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餂?/div>
UTRON
Rev. 1.1
UT62L6416
64K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM
REVISION HISTORY
REVISION
DESCRIPTION
Preliminary Rev. 0.1 Original.
Rev. 1.0
1.Revised Access time : 55/70/100ns 55/70ns
2.Revised Standby current : Delete 20uA(TYP.) L-version
3.Revised extended temp : -20鈩儈80鈩?-20鈩儈85鈩?/div>
4.Revised block diagram
5.Revised DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛?/div>
a. 55ns Icc MAX. : 45 35mA
b. 70ns Icc MAX. : 35 25mA
c. 55ns Icc TYP. : 30 25mA
d. 70ns Icc TYP. : 25 20mA
e. I
SB1
of LL-version
Typical : 3uA 2uA
Maximum : 25uA 10uA
6.Revised AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛?/div>
a. t
BLZ
: 5ns 10ns (min.)
b. t
OH
: 0ns 10ns (min.)
7.Revised DATA RETENTION CHARACTERISTICS錛?/div>
a. I
DR
: Typical : 0.5uA 1uA , Maximum : 20uA 6uA
8.Revised 48-pin TFBGA package outline dimension錛?/div>
a. Rev. 0.1 ball diameter=0.3mm
b. Rev.1.0 ball diameter=0.35mm
Rev. 1.1
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Released Date
Sep 5, 2001
Jul 25, 2002
May 09, 2003
UTRON TECHNOLOGY INC.
1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.
TEL: 886-3-5777882
FAX: 886-3-5777919
P80073
1

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