UT62L25716(E) Datasheet

IC型號(hào)：
UT62L25716(E)
PDF描述：
ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed
文件大小：
108.29KB
PDF頁數(shù)：
13頁
芯片廠家：
ETC

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餂?/div>

UTRON

Rev. 1.3

UT62L25716

256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

REVISION HISTORY

REVISION

DESCRIPTION

Preliminary Rev. 0.5

Original.

Rev.1.0

1.Separate Industrial and Commercial SPEC.

2.New waveforms.

3.Add access time 55ns range.

4.The symbols CE1# and OE# and WE# are revised as. CE1 and

OE and

Rev.1.1

1.Revised access time 55/70/100ns

-Rev 1.0: 55ns(max) for Vcc=3.0V~3.6V

70/100 ns(max) for Vcc=2.7V~3.6V

2.Revised 鈥淪YMBOL鈥?: CE1 CE

3.Revised ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

- V

TERM

: -0.3 to 4.6

-0.5 to 4.6V

- P

D :

1.0~1.5

- I

OUT

: 50 20mA

4.Revised DC CHARACTERISTICS

- V

: 2.0 2.2V

5.Revised AC CHARACTERISTICS

- t

& t

BLZ

: 5 10ns

6.Revised 48-pin TFBGA package outline dimension錛?/div>

-ball diameter : 0.3mm

0.35mm

Rev.1.2

1. Revised Standby current (LL-Version) : 3uA(typ) 2uA(typ)

2. Revised operating current (Iccmax) : 45/35/25mA 40/30/25mA

3. Revised DC CHARACTERISTICS :

a. Operating Power Supply Current (Icc)

55ns (max) : 45 40mA

70ns (typ) : 25 20mA, 70ns (max) : 35 30mA

100ns (Typ) : 20 16mA

b. Standby current(CMOS) :

LL-version (typ) : 3 2uA, 25 20uA

Rev.1.3

1. Revised V

(Typ) : NA 2.7V

2. Add V

(max)=V

+2.0V for pulse width less than 10ns.

(min)=V

-2.0V for pulse width less than 10ns.

3. Add order information for lead free product

Draft Date

Mar, 2001

Jul. 12,2001

Nov. 8. 2002

Dec 03,2002

May 06.2003

UTRON TECHNOLOGY INC.

1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.

TEL: 886-3-5777882

FAX: 886-3-5777919

P80047

型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
ut6264

英文版

IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC

ut6264
UT62256

英文版

32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC

UT62256
UT62256

英文版

32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC [ETC]

UT62256
UT6264B

英文版

8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC

UT6264B
UT6264B

英文版

8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC [ETC]

UT6264B
UT6264C

英文版

8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC

UT6264C
UT6264C

英文版

8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC [ETC]

UT6264C
UT621024

英文版

128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC

UT621024
UT621024

英文版

128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC [ETC]

UT621024
UT62256B

英文版

32K X 8 BIT LOW POWER (6T) CMOS SRAM

ETC [ETC]

UT62256B
UT62256C

英文版

32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC

UT62256C
UT62256C

英文版

32K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC [ETC]

UT62256C
UT62257C

英文版

ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

ETC

UT62257C
UT62L64C

英文版

ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

ETC

UT62L64C
UT62W64C

英文版

ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

ETC

UT62W64C
UT62L1024

英文版

128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC

UT62L1024
UT62L1024

英文版

128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

ETC [ETC]

UT62L1024
UT62L2568

英文版

ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

ETC

UT62L2568
UT62L256C

英文版

ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

ETC

UT62L256C
UT62L5128

英文版

ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

ETC

UT62L5128

UT62L25716(E) Datasheet

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