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UPG138GV-E1 Datasheet

  • UPG138GV-E1

  • L-BAND SPDT SWITCH

  • 66.34KB

  • 8頁

  • NEC   NEC

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DATA SHEET
GaAs INTEGRATED CIRCUIT
P
PG138GV
L-BAND SPDT SWITCH
DESCRIPTION
The
P
PG138GV is L-Band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital
mobile communication system.
It housed in an very small 8-pin SSOP that is smaller than usual 8-pin SOP and easy to install and contributes to
miniaturizing the system.
FEATURES
鈥?Maximum transmission power : +35 dBm min. (@ V
CONT
=
冒5
V/0 V:
P
PG138GV)
+34 dBm typ. (@ V
CONT
=
冒3
V/0 V:
P
PG138GV)
鈥?Low insertion loss
: 0.55 dB typ. (@ 1 GHz)
0.65 dB typ. (@ 2 GHz)
APPLICATION
鈥?Digital Cellular : GSM, PDC, PCN etc.
鈥?PHS Base Station, PCS etc.
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
8-pin plastic SSOP (175 mil)
PACKING FORM
Carrier tape width 12 mm Qty 2 kp/Reel.
P
PG138GV-E1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 擄C)
PARAMETERS
Control Voltage 1, 2
Input Power (V
CONT
=
冒5
V)
Input Power (V
CONT
=
冒3
V)
Total Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CONT1, 2
P
in
P
in
P
tot
T
opt
T
stg
RATINGS
冒6.0
to +0.6
+36
+34
0.7
冒50
to +80
冒65
to +150
UNIT
V
dBm
dBm
W
擄C
擄C
Document No. P13058EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. P11508EJ1V0DS00)
Date Published December 1997 N CP(K)
Printed in Japan
漏
1996

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