UPA806T-T1 Datasheet

IC型號：
UPA806T-T1
PDF描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...
文件大?。?/label>
50.58KB
PDF頁數(shù)：
6頁
芯片廠家：
NEC

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PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

碌

PA806T

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

FEATURES

鈥?Low Noise, High Gain

鈥?Operable at Low Voltage

鈥?Small Feed-back Capacitance

= 0.4 pF TYP.

鈥?Built-in 2 Transistors (2

脳

2SC4959)

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

2.1鹵0.1

1.25鹵0.1

0.65 0.65

2.0鹵0.2

1.3

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

Loose products

(50 PCS)

PACKING STYLE

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Emitter)

face to perforation side of the tape.

0.9鹵0.1

碌

PA806T

0.7

碌

PA806T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Remark

If you require an evaluation sample, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

PIN CONFIGURATION (Top View)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25

擄C)

PARAMETER

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

SYMBOL

CBO

CEO

EBO

RATING

150 in 1 element

200 in 2 elements

Note

150

鈥?5 to +150

UNIT

0~0.1

PIN CONNECTIONS

4. Emitter (Q2)

1. Collector (Q1)

5. Base (Q2)

2. Emitter (Q1)

6. Base (Q1)

3. Collector (Q2)

Junction Temperature

Storage Temperature

stg

藲C

Note

110 mW must not be exceeded in 1 element.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. ID-3640

(O.D. No. ID-9147)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

漏

0.15

鈥?

+0.1

0.2

鈥?

+0.1

X Y

1995

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
RF 晶體管 (BJT)
系列
-
晶體管類型
2 NPN（雙）
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
6V
頻率 - 轉(zhuǎn)換
12GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）
1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益
-
功率 - 最大
200mW
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
75 @ 10mA，3V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30mA
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-SMT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
UPA806T-T1TRUPA806T-TRUPA806TTR

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型號

版本

描述

廠商

下載
UPA80

英文版

UPA80C Data Sheet | Data Sheet[02/1982]

ETC

UPA80
UPA81

英文版

UPA81C Data Sheet | Data Sheet[02/1982]

ETC

UPA81
UPA81

英文版

UPA81C Data Sheet | Data Sheet[02/1982]

UPA81
UPA801

英文版

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 F...

UPA801
UPA801

英文版

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 F...

NEC [NEC]

UPA801
UPA803

英文版

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI...

NEC [NEC]

UPA803
UPA804

英文版

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 F...

UPA804
UPA804

英文版

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5004 F...

NEC [NEC]

UPA804
UPA805

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

UPA805
UPA805

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

NEC [NEC]

UPA805
UPA806

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

UPA806
UPA806

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

NEC [NEC]

UPA806
UPA807

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

UPA807
UPA807

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

NEC [NEC]

UPA807
UPA808

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

NEC [NEC]

UPA808
UPA809

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

UPA809
UPA809

英文版

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIST...

NEC [NEC]

UPA809
UPA80C

英文版

TRANSISTOR ARRAY

NEC [NEC]

UPA80C
UPA810

英文版

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 F...

UPA810
UPA810

英文版

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 F...

NEC [NEC]

UPA810

UPA806T-T1 Datasheet

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