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UN4110S Datasheet

  • UN4110S

  • TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK

  • 14頁

  • ETC

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Transistors with built-in Resistor
UNR4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/
4118/4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L
(UN4111/4112/4113/4114/4115/4116/4117/4118/
4119/4110/411D/411E/411F/411H/411L)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
4.0鹵0.2
3.0鹵0.2
Unit: mm
s
Features
q
q
marking
1
2
3
+0.2
0.45鈥?.1
0.7鹵0.1
s
Resistance by Part Number
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
1.27 1.27
UNR4111
UNR4112
UNR4113
UNR4114
UNR4115
UNR4116
UNR4117
UNR4118
UNR4119
UNR4110
UNR411D
UNR411E
UNR411F
UNR411H
UNR411L
(R
1
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
22k鈩?/div>
0.51k鈩?/div>
1k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
2.2k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
(R
2
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
5.1k鈩?/div>
10k鈩?/div>
鈥?/div>
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
2.54鹵0.15
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
New S Type Package
Internal Connection
R1
2.0鹵0.2
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
New S type package, allowing supply with the radial taping.
15.6鹵0.5
C
B
R2
E
s
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
(Ta=25藲C)
Ratings
鈥?0
鈥?0
鈥?00
300
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
mA
mW
藲C
藲C
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
1

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