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UNR2122(UN2122) Datasheet

  • UNR2122(UN2122)

  • Composite Device - Transistors with built-in Resistor

  • 7頁

  • ETC

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Transistors with built-in Resistor
UNR2121/2122/2123/2124/212X/212Y
(UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
Unit: mm
For digital circuits
s
Features
鈥?/div>
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
鈥?/div>
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through tape packing and magazine packing.
1
0.40
+0.10
鈥?.05
3
1.50
+0.25
鈥?.05
2.8
+0.2
鈥?.3
0.16
+0.10
鈥?.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
鹵0.1
2.90
+0.20
鈥?.05
s
Resistance by Part Number
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
UNR2121
UNR2122
UNR2123
UNR2124
UNR212X
UNR212Y
Marking Symbol (R
1
)
(UN2121)
7A
2.2 k鈩?/div>
(UN2122)
7B
4.7 k鈩?/div>
(UN2123)
7C
10 k鈩?/div>
(UN2124)
7D
2.2 k鈩?/div>
(UN212X)
7I
0.27 k鈩?/div>
(UN212Y)
7Y
3.1 k鈩?/div>
(R
2
)
2.2 k鈩?/div>
4.7 k鈩?/div>
10 k鈩?/div>
10 k鈩?/div>
5 k鈩?/div>
4.6 k鈩?/div>
10藲
1.1
+0.2
鈥?.1
1.1
+0.3
鈥?.1
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-59
Mini3-G1 Package
s
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
Rating
鈭?0
鈭?0
鈭?00
200
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
mA
mW
擄C
擄C
B
R
2
E
Internal Connection
R
1
C
s
Electrical Characteristics
T
a
=
25擄C
Parameter
Collector cutoff current
UNR212X
Collector cutoff current
UNR212X
Emitter
cutoff
current
UNR2121
UNR2122/212X/212Y
UNR2123/2124
V
CBO
h
FE
I
C
= 鈭?0 碌A(chǔ),
I
E
=
0
V
CE
= 鈭?0
V, I
C
= 鈭?00
mA
鈭?0
40
50
60
20
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
Publication date: January 2002
SJH00008BED
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
Conditions
V
CB
= 鈭?0
V, I
E
=
0
V
CE
= 鈭?0
V, I
B
=
0
V
EB
= 鈭?
V, I
C
=
0
Min
Typ
0 to 0.1
Max
鈭?
鈭?/div>
0.1
鈭?
鈭?/div>
0.5
鈭?
鈭?
鈭?
Unit
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
mA
Collector to base voltage
Forward
current
transfer
ratio
UNR2121
UNR2122/212Y
UNR2123/2124
UNR212X
V
0.4
鹵0.2
5藲
1

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    版本
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    Silicon PNP epitaxial planar type
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