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UN1210S Datasheet

  • UN1210S

  • TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71

  • 14頁(yè)

  • ETC

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Transistors with built-in Resistor
UNR1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/
121D/121E/121F/121K/121L
(UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/
121D/121E/121F/121K/121L)
6.9鹵0.1
2.5鹵0.1
1.5
Unit: mm
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For digital circuits
0.4
1.5 R0.9
R0.9
1.0
3.5鹵0.1
1.0
2.4鹵0.2 2.0鹵0.2
0.45鹵0.05
2
1
2.5
1.0鹵0.1
R
0.
I
Features
G
G
0.85
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
M type package allowing easy automatic and manual insertion as
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.
0.55鹵0.1
3
2.5
I
Resistance by Part Number
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
UNR1211
UNR1212
UNR1213
UNR1214
UNR1215
UNR1216
UNR1217
UNR1218
UNR1219
UNR1210
UNR121D
UNR121E
UNR121F
UNR121K
UNR121L
(R
1
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
22k鈩?/div>
0.51k鈩?/div>
1k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
(R
2
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
5.1k鈩?/div>
10k鈩?/div>
鈥?/div>
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
1:Base
2:Collector
3:Emitter
M Type Mold Package
Internal Connection
R1
1.25鹵0.05
C
B
R2
E
I
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
(Ta=25藲C)
Ratings
50
50
100
400
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
mA
mW
藲C
藲C
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
4.1鹵0.2
4.5鹵0.1
7
1

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    Silicon NPN epitaxial planer transistor
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