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UN511D Datasheet

  • UN511D

  • Silicon PNP epitaxial planer transistor

  • 17頁

  • PANASONIC

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Transistors with built-in Resistor
UN5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/
511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
2.1鹵0.1
Unit: mm
s
Features
0.65
0.425
1.25鹵0.1
0.425
1
2.0鹵0.2
1.3鹵0.1
0.65
q
3
2
0.9鹵0.1
0 to 0.1
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
Marking Symbol
UN5111
6A
UN5112
6B
UN5113
6C
UN5114
6D
UN5115
6E
UN5116
6F
UN5117
6H
UN5118
6I
UN5119
6K
UN5110
6L
UN511D
6M
UN511E
6N
UN511F
6O
UN511H
6P
UN511L
6Q
UN511M
EI
UN511N
EW
UN511T
EY
UN511V
FC
UN511Z
FE
(R
1
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
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47k鈩?/div>
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2.2k鈩?/div>
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2.2k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
(R
2
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
5.1k鈩?/div>
10k鈩?/div>
鈥?/div>
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
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47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
2.2k鈩?/div>
22k鈩?/div>
0.7鹵0.1
0.2鹵0.1
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
EIAJ : SC鈥?0
S鈥揗ini Type Package
Internal Connection
R1
C
B
R2
E
s
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
(Ta=25藲C)
Ratings
鈥?0
鈥?0
鈥?00
150
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
mA
mW
藲C
藲C
0.15
-0.05
+0.1
s
Resistance by Part Number
0.2
0.3
-0
q
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
S-Mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing and magazine packing.
+0.1
1

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