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UNR2117Q Datasheet

  • UNR2117Q

  • TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23

  • 18頁

  • ETC

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Transistors with built-in Resistor
UNR2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
(UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
0.65鹵0.15
2.8
鈥?.3
+0.2
Unit: mm
0.65鹵0.15
1.5
鈥?.05
+0.25
For digital circuits
0.95
2.9
鈥?.05
1
0.95
s
Features
q
q
1.9鹵0.2
+0.2
3
0.4
鈥?.05
+0.1
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through tape packing and magazine packing.
1.1
鈥?.1
+0.2
2
1.45
0 to 0.1
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
Marking Symbol (R
1
)
UNR2111
6A
10k鈩?/div>
UNR2112
6B
22k鈩?/div>
UNR2113
6C
47k鈩?/div>
UNR2114
6D
10k鈩?/div>
UNR2115
6E
10k鈩?/div>
UNR2116
6F
4.7k鈩?/div>
UNR2117
6H
22k鈩?/div>
UNR2118
6I
0.51k鈩?/div>
UNR2119
6K
1k鈩?/div>
UNR2110
6L
47k鈩?/div>
UNR211D
6M
47k鈩?/div>
UNR211E
6N
47k鈩?/div>
UNR211F
6O
4.7k鈩?/div>
UNR211H
6P
2.2k鈩?/div>
UNR211L
6Q
4.7k鈩?/div>
UNR211M
EI
2.2k鈩?/div>
UNR211N
EW
4.7k鈩?/div>
UNR211T
EY
22k鈩?/div>
UNR211V
FC
2.2k鈩?/div>
UNR211Z
FE
4.7k鈩?/div>
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
(R
2
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
5.1k鈩?/div>
10k鈩?/div>
鈥?/div>
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
2.2k鈩?/div>
22k鈩?/div>
Ratings
鈥?0
鈥?0
鈥?00
200
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
mA
mW
藲C
藲C
0.1 to 0.3
0.4鹵0.2
1:Base
2:Emitter
3:Collector
0.8
s
Resistance by Part Number
EIAJ:SC-59
Mini Type Package
Internal Connection
R1
C
B
R2
E
s
Absolute Maximum Ratings
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
(Ta=25藲C)
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
0.16
鈥?.06
+0.1
1

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