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TSM2312CX Datasheet

  • TSM2312CX

  • 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

  • 3頁

  • TSC

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TSM2312
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pin assignment:
1. Gate
2. Source
3. Drain
V
DS
= 20V
R
DS (on)
, Vgs @ 4.5V, Ids @ 5.0A = 33m鈩?/div>
R
DS (on)
, Vgs @ 2.5V, Ids @ 4.0A = 40m鈩?/div>
Features
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on-resistance
Excellent thermal and electrical capabilities
Compact and low profile SOT-23 package
Block Diagram
Ordering Information
Part No.
TSM2312CX
Packing
Tape & Reel
Package
SOT-23
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25鈩?/div>
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
unless otherwise noted)
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
Ta = 25
o
C
Ta = 75
o
C
P
D
Limit
20V
鹵8
5
15
1.25
0.8
Unit
V
V
A
A
W
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
T
J
, T
STG
+150
- 55 to +150
o
o
C
C
Thermal Performance
Parameter
Lead Temperature (1/8鈥?from case)
Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)
Note: Surface mounted on FR4 board t<=5sec.
Symbol
T
L
R
胃ja
Limit
5
100
Unit
S
o
C/W
TSM2312
1-1
2003/12 rev. A

TSM2312CX 產(chǎn)品屬性

  • Taiwan Semiconductor

  • MOSFET

  • P-Channel

  • 20 V

  • +/- 8 V

  • 4.9 A

  • 33 mOhms at 4.5 V

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOT-23-3

  • Reel

  • 40 ns

  • - 55 C

  • 450 mW

  • 40 ns

  • 3000

  • 48 ns

  • RF

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    廠商
    下載
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    Analog IC
    ETC
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    DUAL CMOS RAIL TO RAIL OPERATIONAL AMPLIFIER AND DUAL CMOS C...
    STMicro
  • 英文版
    DUAL CMOS RAIL TO RAIL OPERATIONAL AMPLIFIER AND DUAL CMOS C...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    DUAL CMOS RAIL TO RAIL OPERATIONAL AMPLIFIER AND DUAL CMOS C...
    STMICROELECTRON...
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    TSC
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    TSC [Taiwa...
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