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TN805-800B Datasheet

  • TN805-800B

  • SCR’s

  • 5頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
TN805/TN815-B
SCR鈥檚
FEATURES
I
TRMS
= 8 A
V
DRM
= 400 V to 800 V
I
GT
鈮?/div>
5 mA and 15 mA
DESCRIPTION
The TN805/TN815-B serie of Silicon Controlled
Rectifiers uses a high performance TOPGLASS
PNPN technology.
These parts are intended for general purpose
applications using mount technology.
K
A
A
G
DPAK
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
I
T(RMS)
I
T(AV)
I
TSM
Parameter
RMS on-state current
(180擄 conduction angle)
Mean on-state current
(180擄 conduction angle)
Non repetitive surge peak on-state current
(Tj initial = 25擄C)
Tc= 105擄C
Tc= 105擄C
tp = 8.3 ms
tp = 10 ms
I
2
t
dI/dt
T
stg
T
j
Tl
I
2
t Value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
dI
G
/dt = 1 A/碌s.
I
G
= 100 mA
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
Maximum lead temperature for soldering during 10s
tp = 10ms
Value
8
5
73
70
24.5
100
- 40 to + 150
- 40 to + 125
260
A
2
s
A/碌s
擄C
擄C
Unit
A
A
A
Symbol
V
DRM
V
RRM
Parameter
400B
Repetitive peak-off voltage
Tj = 125擄C
400
TN805 or TN815
600B
600
700B
700
800B
800
Unit
V
August 1998 - Ed: 1A
1/5

TN805-800B 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • SCR - 單個

  • -

  • 標準恢復(fù)型

  • 800V

  • 1.3V

  • 1.6V

  • 5A

  • 8A

  • 5mA

  • 25mA

  • 5µA

  • 70A，73A

  • -40°C ~ 125°C

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 管件

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