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TGF4112 Datasheet

  • TGF4112

  • 12 mm Discrete HFET

  • 9頁(yè)

  • TRIQUINT

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TGF4112-EPU
12 mm Discrete HFET
錚?/div>
4112
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0.5 um gate finger length
Nominal Pout of 6.0 Watts at 2.3 GHz
Nominal PAE of 54.5% at 2.3 GHz
Nominal Gain of 12.7 dB at 2.3 GHz
Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils
(0.914 x 2.057 x 0.102 mm)
TGF4112-EPU RF Performance at F = 2.3 GHz
Vd = 8.0 V, Vg = -1.3 V, Iq = 0.75 A and T
A
= 25擄C
46
Pout
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
PAE
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Input Power (dBm)
1
TriQuint Semiconductor Texas Phone: 972 994-8465
Fax 972 994-8504
Web: www.triquint.com
Power Added Efficiency %
Output Power (dBm)

TGF4112 產(chǎn)品屬性

  • TriQuint

  • 射頻GaAs晶體管

  • HEMT

  • 2.3 GHz

  • 12.7 dB

  • 1.98 S

  • 12 V

  • - 22 V

  • 2.94 A

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • 12-Pin-Die

  • 6 W

  • Tray

  • 100

  • 1004414

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