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SUM110N03-03 Datasheet

  • SUM110N03-03

  • N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

  • 42.71KB

  • 5頁

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SUM110N03-03
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
30
FEATURES
r
DS(on)
(W)
I
D
(A)
a
D
D
D
D
D
0.0025 @ V
GS
= 10 V
110
a
TrenchFETr Power MOSFET
175_C Junction Temperature
Low Thermal Resistance Package
High Threshold Voltage
APPLICATIONS
D
Automotive 12-V Boardnet
TO-263
G
DRAIN connected to TAB
G
D S
S
Ordering Information: SUM110N03-03
N-Channel MOSFET
Top View
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche
Energy
b
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
30
"20
110
a
110
a
350
70
245
242
c
3.75
- 55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
Maximum Power Dissipation
b
Operating Junction and Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
d
Junction-to-Case
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
40
0.62
Unit
_C/W
Document Number: 72260
S-31257鈥擱ev. A, 16-Jun-03
www.vishay.com
1

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