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SUD15N06-90L Datasheet

  • SUD15N06-90L

  • N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level

  • 60.79KB

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUD15N06-90L
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic Level
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
60
r
DS(on)
(W)
0.065 @ V
GS
= 10 V
0.090 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15
14
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
S
N-Channel MOSFET
Top View
Order Number:
SUD15N06-90L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
175 C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
v
1%)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
Symbol
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
"20
15
12
30
15
15
11
37
2
a
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient Free Air, FR4 Board Mount
a
Junction-to-Case
Notes:
a. 1.36 x 2.1 surface mounted on 1鈥?x 1鈥?FR4 Board.
Document Number: 71087
S-49634鈥擱ev. D, 20-Sep-99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
60
3.7
Maximum
70
4.0
Unit
_C/W
2-1

SUD15N06-90L 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 60 V

  • +/- 20 V

  • 15 A

  • 65 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-252-3

  • Reel

  • 7 ns

  • - 55 C

  • 2 W

  • 8 ns

  • 2000

  • TrenchFET

  • 15 ns

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