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STX112-AP Datasheet

  • STX112-AP

  • SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

  • 154.91KB

  • 5頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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廬
STX112
SILICON NPN POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
s
s
MONOLITHIC DARLINGTON
CONFIGURATION
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATIONS
s
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The device is a silicon Epitaxial-Base NPN
transistor in monolithic Darlington configuration
mounted in TO-92 plastic package. It is intented
for use in linear and switching applications.
Ordering codes:
STX112
STX112-AP
TO-92
(shipment in bulk)
(shipment in ammopack)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
R
1
Typ.= 7K
鈩?/div>
R
2
Typ.= 230
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
amb
= 25 C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
100
100
5
2
4
50
1.2
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
mA
W
o
o
C
C
October 2000
1/5

STX112-AP 產(chǎn)品屬性

  • STX112 View All Specifications

  • 2,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN - 達(dá)林頓

  • 2A

  • 100V

  • 2.5V @ 8mA，2A

  • 2mA

  • 1000 @ 1A，4V

  • 1.2W

  • -

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

  • TO-92AP

  • 帶盒（TB）

  • 497-12706-3STX112-AP-ND

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