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STS5DNF20V Datasheet

  • STS5DNF20V

  • N-CHANNEL 20V - 0.030 ohm - 5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET⑩ II...

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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N-CHANNEL 20V - 0.030
鈩?/div>
- 5A SO-8
2.7V-DRIVE STripFET鈩?II POWER MOSFET
TYPE
STS5DNF20V
s
s
s
STS5DNF20V
V
DSS
20 V
R
DS(on)
< 0.040
鈩?/div>
( @ 4.5 V )
< 0.045
鈩?/div>
( @ 2.7 V )
I
D
5A
s
TYPICAL R
DS
(on) = 0.030
鈩?/div>
@ 4.5 V
TYPICAL R
DS
(on) = 0.037
鈩?/div>
@ 2.7 V
ULTRA LOW THRESHOLD
GATE DRIVE (2.7 V)
STANDARD OUTLINE FOR EASY
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
SO-8
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size鈩?quot;
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a remark-
able manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
DC MOTOR DRIVE
s
DC-DC CONVERTERS
s
BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC
EQUIPMENT
s
POWER MANAGEMENT IN
PORTABLE/DESKTOP PCs
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
P
tot
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate- source Voltage
Drain Current (continuous) at T
C
= 25擄C
Single Operation
Drain Current (continuous) at T
C
= 100擄C
Single Operation
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25擄C
Dual Operation
Total Dissipation at T
C
= 25擄C
Single Operation
Value
20
20
鹵 12
5
3
20
1.6
2
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
(鈥?
Pulse width limited by safe operating area.
August 2002
.
1/8

STS5DNF20V 產(chǎn)品屬性

  • STS5DNF20V View All Specifications

  • 1

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • STripFET™

  • 2 個 N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 5A

  • 40 毫歐 @ 2.5A，4.5V

  • 600mV @ 250µA

  • 11.5nC @ 4.5V

  • 460pF @ 25V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • Digi-Reel?

  • 497-3229-6

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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