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STP4N100 Datasheet

  • STP4N100

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

  • 10頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STP4N100
STP4N100FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STP4N100
STP4N100FI
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
1000 V
1000 V
R
DS( on)
< 3.5
鈩?/div>
< 3.5
鈩?/div>
I
D
4A
2.2 A
TYPICAL R
DS(on)
= 3.1
鈩?/div>
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW INPUT CAPACITANCE
LOW GATE CHARGE
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
3
1
2
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
s
DC-AC INVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
STP4N100
V
D S
V
DG R
V
GS
I
D
I
D
I
D M
(鈥?
P
tot
V
ISO
T
stg
T
j
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
STP4N100FI
1000
1000
鹵
20
4
2.5
16
125
1
錚?/div>
-65 to 150
150
2.2
1.4
16
40
0.32
2000
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
December 1996
1/10

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    ETC
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    ETC
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