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STD6NC40-T4 Datasheet

  • STD6NC40-T4

  • N-CHANNEL 400V - 0.75ohm - 5A - DPAK / IPAK PowerMesh⑩II MO...

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STD6NC40
N-CHANNEL 400V - 0.75鈩?- 5A - DPAK / IPAK
PowerMesh鈩I MOSFET
TYPE
STD6NC40
s
s
s
s
s
V
DSS
400V
R
DS(on)
<1
鈩?/div>
I
D
5A
s
TYPICAL R
DS
(on) = 0.75鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
GATE CHARGE MINIMIZED
ADD SUFFIX 鈥淭4鈥?FOR ORDERING IN TAPE &
REEL
ADD SUFFIX 鈥?1鈥?FOR ORDERING IN IPAK
3
1
DPAK
IPAK
1
3
2
DESCRIPTION
The PowerMESH
鈩?/div>
II is the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY
鈩?
The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
APPLICATIONS
SWITH MODE LOW POWER SUPPLIES
(SMPS)
s
CFL
s
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
s
)
P
TOT
dv/dt(1)
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate- source Voltage
Drain Current (continuos) at T
C
= 25擄C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100擄C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25擄C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
400
400
鹵30
5
3
20
55
0.44
3
鈥?5 to 150
150
(1)I
SD
鈮?A,
di/dt
鈮?00A/碌s,
V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX.
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/擄C
V/ns
擄C
擄C
(鈥?Pulse width limited by safe operating area
March 2001
1/9

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