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STA509A Datasheet

  • STA509A

  • MOS FET Array

  • 1頁

  • SANKEN   SANKEN

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

MOS FET Array STA509A
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25潞C)
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
T
Ratings
52鹵5
鹵20
鹵3
鹵6
Unit
V
V
A
A
W
W
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(yfs)
R
DS (ON)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
Test Conditions
I
D
= 1mA, V
GS
= 0V
V
GS
=
鹵20V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
DS
= 10V, I
D
= 1.0A
V
GS
= 10V, I
D
= 1.0A
V
GS
= 4V, I
D
= 1.0A
V
DS
= 10V
f = 1.0MHz
V
GS
= 0V
I
D
= 1A
V
DD
12V
R
L
= 12鈩?/div>
V
GS
= 5V
R
G1
= 50鈩? R
G2
= 10鈩?/div>
I
SD
= 6A, V
GS
= 0V
min
47
Ratings
typ
52
max
57
鹵1.0
100
2.5
0.25
0.3
(Ta=25潞C)
Unit
External Dimensions
STA
25.25
鹵0.2
4 (Ta = 25潞C)
20 (Tc = 25潞C)
E
AS
*
2
40
mJ
Tch
潞C
150
Tstg
潞C
鈥?5 to +150
*1 P
W
100碌s, duty 1%
*2 V
DD
= 12V, L = 10mH, unclamped, R
G
= 10鈩?/div>
1.0
1.0
0.2
0.25
200
120
20
2.0
7.4
3.3
4.2
1.0
1.5
V
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
V
S
鈩?/div>
鈩?/div>
pF
pF
pF
碌s
碌s
碌s
碌s
V
鹵0.2
鹵0.2
9.0
鹵0.2
b
a
11.3
3.5
鹵0.5
2.3
1.0
鹵0.25
0.5
鹵0.15
(2.54)
0
鹵0.3
0
鹵0.3
9鈥?.54=22.86
鹵0.05
鹵0.15
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
S G D G D G D G D S
a) Type No.
b) Lot No.
(Unit: mm)
s
I
D
鈥?/div>
V
DS
Characteristics
6
5
V
GS
=
5V
V
GS
=
10V
V
GS
=
4V
s
I
D
鈥?/div>
V
GS
Characteristics
20
10
V
DS
=
10V
s
R
DS
(on) 鈥?/div>
I
D
Characteristics
0.8
V
GS
=
4V
Ta
=
150潞C
0.6
R
DS
(on)
(鈩?
4
1
0.5
75潞C
I
D
(A)
I
D
(A)
1.2
3
2
V
GS
=
3V
0.4
25潞C
0.1
1
0
0.01
Ta
= 鈥?5潞C
25潞C
75潞C
150潞C
鈥?5潞C
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
4.0
C1.5
鹵0.5
鹵0.2
鹵0.2
6
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
s
R
DS
(on) 鈥?/div>
T
C
Characteristics
0.5
I
D
=
1A
s
R
e (yfs) 鈥?/div>
I
D
Characteristics
10
V
DS
=
10V
s
I
DR
鈥?/div>
V
SD
Characteristics
10
0.4
V
GS
=
4V
typ.
5
8
R
DS
(on)
(鈩?
Re
(yfs)
(S)
0.2
V
GS
=
10V
typ.
1
I
DR
(A)
0.3
6
0.1
0.5
Ta
= 鈥?5潞C
25潞C
150潞C
4
Ta
=
150潞C
75潞C
25潞C
鈥?5潞C
2
0
鈥?0
0
50
100
150
0.2
0.05 0.1
0.5
1
6
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Tc (潞C)
I
D
(A)
V
SD
(V)
s
Safe Operating Area (single pulse)
10
I
D
(pulse)
max
(Tc = 25潞C)
10
0
碌
s
1m
s
Equivalent Circuit Diagram
5
(o
n
I
)
L
M
IT
ED
R
D
S
s
m
10
I
D
(A)
3
5
7
9
1
2
4
6
8
0.5
1
10
0.1
0.5
1
5
10
50
V
DS
(V)
80

STA509A 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 在售

  • -

  • 散裝

  • 在售

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 4 個 N 通道

  • 標(biāo)準(zhǔn)

  • 57V

  • 3A（Ta）

  • 250 毫歐 @ 1A，10V

  • 2.5V @ 250μA

  • -

  • 200pF @ 10V

  • 4W（Ta），20W（Tc）

  • 150°C

  • 通孔

  • 10-SIP

  • 10-SIP

STA509A相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    30V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    30V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    40V 3.5A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ETC
  • 英文版
    40V 3.5A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 3.5A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ST
  • 英文版
    40V 4A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ETC
  • 英文版
    40V 4A DOUBLE POWER HALF BRIDGE
    ST
  • 英文版
    N-channel General purpose
    SANKEN
  • 英文版
    N-channel General purpose
    SANKEN [Sa...
  • 英文版
    40V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 3.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    40V 4A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 4A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    40V 4.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    40V 4.5A QUAD POWER HALF BRIDGE
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    MOS FET Array
    SANKEN
  • 英文版
    MOS FET Array
    SANKEN [Sa...
  • 英文版
    60V 5A POWER FULL BRIDGE
    ETC
  • 英文版
    60V 5A POWER FULL BRIDGE
    STMicroelectronics
  • 英文版
    200W MONO BASH POWER AMPLIFIER
    STMICROELECTRONICS

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