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SDD25N04 Datasheet

  • SDD25N04

  • Sirectifier Semiconductors [Discrete Diodes]

  • 75.59KB

  • SIRECTIFIER

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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SDD25
Discrete Diodes
Dimensions TO-247AD
Dim.
A
B
Millimeter
Min. Max.
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32
5.4
1.65
-
1.0
10.8
4.7
0.4
1.5
5.49
6.2
2.13
4.5
1.4
11.0
5.3
0.8
2.49
Inches
Min.
Max.
0.780
0.819
0.610
0.140
0.170
0.212
0.065
-
0.040
0.426
0.185
0.016
0.087
0.800
0.845
0.640
0.144
0.216
0.244
0.084
0.177
0.055
0.433
0.209
0.031
0.102
3
2
1
1
2
3
C
D
E
F
SDD25N01
SDD25N02
SDD25N03
SDD25N04
SDD25N05
SDD25N06
SDD25N07
Symbol
I
FRMS
I
F(AV)M
V
RSM
V
50
100
200
400
600
800
1000
V
RRM
V
50
100
200
400
600
800
1000
Test Conditions
G
H
J
K
L
M
N
Maximum Ratings
43
25
Unit
A
T
VJ
=T
VJM
T
C
=100
o
C; 180
o
sine
T
VJ
=45
o
C;
V
R
=0V;
T
VJ
=150
o
C;
V
R
=0V;
T
VJ
=45
o
C;
V
R
=0V;
T
VJ
=150
o
C;
V
R
=0V;
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
t=10ms (50Hz), sine
t=8.3ms (60Hz), sine
t=10ms(50Hz), sine
t=8.3ms(60Hz), sine
I
FSM
300
330
270
300
450
450
340
325
-40...+180
180
-40...+150
A
I
2
t
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
stg
M
d
F
C
V
ISOL
Weight
Symbol
I
R
V
F
V
TO
r
T
R
thJC
R
thCK
T
VJ
=150
o
C; V
R
=V
RRM
I
F
=55A; T
VJ
=25
o
C
For power-loss calculations only
T
VJ
=T
VJM
DC current
DC current (with heatsink compound)
typ.
Test Conditions
Mounting torque
Mounting force with clip
50/60Hz, RMS, t=1minute, leads-to-tab
o
C
0.8...1.2
20...120
2500
6
Characteristic Values
_
<2
_
< 1.6
0.8
15
1.5
0.4
Nm
N
V~
g
Unit
mA
V
V
m
K/W

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