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RSB12W Datasheet

  • RSB12W

  • Low Capacitance Protection Device

  • 3頁

  • ROHM

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RSB12W
Diodes
Low Capacitance Protection Device
RSB12W
Application
ESD Protection
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
1.0
0.5 0.5
0.15鹵0.05
1.6鹵0.2
0.3鹵0.1
銆€銆€銆€ 0.05
(3)
Features
1) Ultra small mold type. (EMD3)
2) Low capacitance
3) Bi direction
0.2鹵0.1
銆€銆€-0.05
(2)
0.7
0.7
0.8鹵0.1
1.6鹵0.2
0錕?frac12;錕?.1
0.1Min
0.7
0.6
EMD3
0.6
(1)
0.55鹵0.1
0.7鹵0.1
Construction
Silicon Epitaxial Planar
0.5
0.5
1.0鹵0.1
Structure
ROHM :
JEDEC : SOT-416
JEITA : SC-75A
dot(year week factory)
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0鹵0.1
2.0鹵0.05
蠁1.55鹵0.1
銆€銆€銆€銆€銆€ 0
1.75鹵0.1
0.3鹵0.1
3.5鹵0.05
1.8鹵0.2
5.5鹵0.2
1.8鹵0.1
蠁0.5鹵0.1
0錕?frac12;錕?.1
8.0鹵0.2
Absolute maximum ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
P
Tj
Tstg
Limits
150
150
-55 to +150
Unit
mW
鈩?/div>
鈩?/div>
Electrical characteristics
(Ta=25擄C)
Parameter
Zener voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V
Z
I
R
C
t
Min.
9.6
-
-
Typ.
-
-
1
Max.
14.4
0.10
-
Unit
V
碌A(chǔ)
pF
Conditions
I
Z
=5mA
V
R
=9V
f=1MHz,V
R
=0V
1.3
0.9鹵0.2
1/2

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