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RQG2001UR-TL-E Datasheet

  • RQG2001UR-TL-E

  • NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Medium Power...

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RQG2001URAQF
NPN Silicon Germanium Transistor
High Frequency Medium Power Amplifier
REJ03G1554-0100
Rev.1.00
Aug 10, 2007
Features
鈥?/div>
Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone.
鈥?/div>
Low Distortion and Excellent Linearity
IP3 at output = +30 dBm typ., P1dB at output = +19 dBm typ., f = 1.8 GHz
鈥?/div>
High Transition Frequency
f
T
= 20 GHz typ.
鈥?/div>
High Collector to Emitter Voltage
V
CEO
= 5 V
Outline
RENESAS Package code: PTSP0004ZA-A
(Package name: CMPAK-4)
2
3
1
4
1. Emitter
2. Collector
3. Emitter
4. Base
Note:
Marking is 鈥淯R-鈥?
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Item
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pc
Tj
Tstg
Ratings
13
5
1.5
100
note1
450
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
Notes: 1. Value on PCB (FR-4 : 20 x 20 x 1.0 mm double side)
REJ03G1554-0100 Rev.1.00 Aug 10, 2007
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