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RD4.7JSAB1 Datasheet

  • RD4.7JSAB1

  • SILICON ZENER DIODES

  • 3頁(yè)

  • EIC

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RD4.7JS ~ RD39JS
V
Z
: 4.7 - 39 Volts
P
D
: 400 mW
SILICON ZENER DIODES
DO - 34 Glass
FEATURES :
* Complete 4.7 to 39 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
0.078 (2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.118 (3.0)
max.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-34 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
0.019 (0.50)max.
1.00 (25.4)
min.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
擄
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
Power Dissipation
Forward Current
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
I
F
T
j
T
s
Value
400
150
- 55 to + 175
- 55 to + 175
Unit
mW
mA
擄C
擄C
Derating Curve
700
Power Dissipation , P
D
(mW)
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100 125
150 175 200
Ambient Temperture , Ta (
擄
C)
Page 1 of 3
Rev. 02 : March 25, 2005

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