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Q67100-Q2120 Datasheet

  • Q67100-Q2120

  • 1M x 4-Bit Dynamic RAM

  • 25頁

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1M x 4-Bit Dynamic RAM
(Hyper Page Mode (EDO) version)
HYB 514405BJ/BJL-50/-60/-70
Preliminary Information
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鈥?/div>
鈥?/div>
1 048 576 words by 4-bit organization
0 to 70 藲C operating temperature
Hyper Page Mode - EDO
Performance:
-50
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS access time
CAS access time
Access time from address
Read/Write cycle time
Hyper page mode (EDO)
cycle time
50
13
25
89
20
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Single + 5 V (鹵 10 %) supply
Low power dissipation
max. 660 mW active (-50 version)
max. 605 mW active (-60 version)
max. 550 mW active (-70 version)
Standby power dissipation:
11 mW max.standby (TTL)
5.5 mW max.standby (CMOS)
1.1 mW max.standby (CMOS) for Low Power Version
Read, write, read-modify write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh,
hidden refresh and test mode capability
All inputs and outputs TTL-compatible
1024 refresh cycles / 16 ms
1024 refresh cycles / 128 ms for Low Power Version
Plastic Packages: P-SOJ-26/20-5 with 300 mil width
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Semiconductor Group
1
5.96

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