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Q67040-S4447 Datasheet

  • Q67040-S4447

  • Silicon Carbide Schottky Diode

  • 9頁

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Preliminary data
SDP10S30, SDB10S30
SDT10S30
Silicon Carbide Schottky Diode
Revolutionary semiconductor
material - Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on
the switching behavior
No forward recovery
P-TO220-2-2.
Parameter
Continuous forward current,
T
C
=100擄C
RMS forward current,
f=50Hz
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
Repetitive peak reverse voltage
Surge peak reverse voltage
Power dissipation,
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
Page 1






Product Summary
V
V
RRM
300
Q
c
I
F
P-TO220-3.SMD
23
10
P-TO220-3-1.
nC
A
Type
SDP10S30
SDB10S30
SDT10S30
Package
P-TO220-3-1.
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4372
Q67040-S4447
Marking
D10S30
D10S30
D10S30
Pin 1
n.c.
n.c.
PIN 2
C
C
PIN 3
A
A
P-TO220-3.SMD Q67040-S4373
C
Value
10
14
36
45
100
6.5
300
300
65
A
Unit
A
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Symbol
I
F
I
FRMS
Surge non repetitive forward current, sine halfwave
I
FSM
Repetitive peak forward current
T
j
=150擄C,
T
C
=100擄C,
D=0.1
I
FRM
I
FMAX
i
2
dt
Non repetitive peak forward current
t
p
=10碌s,
T
C
=25擄C
i
2
t
value,
T
C
=25擄C,
t
p
=10ms
A虜s
V
W
擄C
V
RRM
V
RSM
P
tot
T
j ,
T
stg
-55... +175
2001-12-04

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