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Q67040-S4130-A2 Datasheet

  • Q67040-S4130-A2

  • SIPMOS PowerTransistor

  • 8頁

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SPD 09N05
SIPMOS廬 Power Transistor
Features
鈥?/div>
N channel
鈥?/div>
Product Summary
Drain source voltage
Drain-Source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
55
0.1
9.2
V
鈩?/div>
A
Enhancement mode
鈥?/div>
Avalanche rated
鈥?/div>
dv/dt rated
鈥?/div>
175藲C operating temperature
Type
SPD09N05
SPU09N05
Package
P-TO252
P-TO251
Ordering Code
Q67040-S4136
Packaging
Tape and Reel
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Q67040-S4130-A2 Tube
MaximumRatings
, at
Tj
= 25 藲C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Value
9.2
6.5
37
35
2.4
6
鹵20
24
-55... +175
55/175/56
Unit
A
I
D
T
C
= 25 藲C
T
C
= 100 藲C
Pulsed drain current
I
Dpulse
E
AS
E
AR
dv/dt
T
C
= 25 藲C
Avalanche energy, single pulse
mJ
I
D
= 9.2 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
kV/碌s
V
W
藲C
I
S
= 9.2 A,
V
DS
= 40 V, di/dt = 200 A/碌s
Gate source voltage
Power dissipation
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
T
C
= 25 藲C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Data Sheet
1
06.99

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