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GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)

GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

SFH 485 P

Area not flat

0.6

0.4

2.54 mm

spacing

0.8

0.4

5.0

4.2

Cathode

3.85

3.35

酶5.1

酶4.8

5.9

5.5

1.8

1.2

29

27

1.0

0.5

Chip position

0.6

0.4

fex06306

GEX06306

Ma脽e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

q

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt

im Schmelzepitaxieverfahren

q

Enge Toleranz: Chipoberfl盲che/

Bauteiloberkante

q

Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempf盲nger

q

Sehr plane Oberfl盲che

q

Geh盲usegleich mit SFH 217

Anwendungen

q

Lichtschranken f眉r Gleich- und

Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz

q

LWL

Features

q

GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

q

Small tolerance: Chip surface to case

surface

q

Good spectral match to silicon

photodetectors

q

Plane surface

q

Same package as SFH 217

Applications

q

Light-reflection switches for steady and

varying intensity (max. 500 kHz)

q

Fibre optic transmission

Typ

Type

SFH 485 P

Bestellnummer

Ordering Code

Q62703-Q516

Geh盲use

Package

5-mm-LED-Geh盲use, plan, klares violettes Epoxy-

Gie脽harz, L枚tspie脽e im 2.54-mm-Raster (

1

/

10

鈥欌€?,

Anodenkennzeichnung: k眉rzerer Anschlu脽

5 mm LED package (T 1

3

/

4

), plane violet-colored

transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing

2.54 mm (

1

/

10

鈥欌€?, anode marking: short lead.

Semiconductor Group

1

1998-06-26

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Q62703-Q3839相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

• 型號(hào)
  版本
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  廠商
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• Q62702-A4
  英文版
  Silicon Schottky Diodes (For mixer applications in the VHF/U...
  
  Q62702-A4
• Q62702-A4
  英文版
  Silicon Schottky Diodes (For mixer applications in the VHF/U...
  SIEMENS [S...
  Q62702-A4
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  Q62702G62
• Q62702G62
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  GaAs MMIC (Power amplifier for PCN applications 2.5 W 34dBm ...
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  Q62702G62
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  GaAs MMIC (Power amplifier for GSM class 4 phones 3.2 W 35dB...
  
  Q62702G63
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  GaAs MMIC (Power amplifier for GSM class 4 phones 3.2 W 35dB...
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  Q62702G63
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  Q62702G74
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